RN1413TE85,F datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  RN1413TE85,F
• Производитель
  TOSHIBA Semiconductor
• Описание
  TOSHIBA Semiconductor RN1413TE85,F Current - Collector (ic) (max): 100mA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 Power - Max: 200mW Resistor - Base (r1) (ohms): 47K Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250?µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 50V Other Names: RN1413TE85F
• Количество страниц
  5 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet RN1413TE85,F.pdf
Файл формата Pdf 289,94 KB